长兴65kw小型非晶纳米晶材料气氛保护真空退火炉

非晶退火炉：

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多

工件在加热的过程中，把炉体前移，炉体为加热体，加热完成后，炉体后移，露出炉胆，快速冷即工件。也可以自备风机，鼓风加快冷即速度，炉胆口炉胆口有一个固定手拉式密封炉门，炉胆口做有水循环冷即，保护炉门硅胶盘根，抽真空与进气管道分布在炉胆口位置，具体操作按用户要求设计真空度。